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AON6560
1个N沟道 耐压:30V 电流:200A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON6560
- 商品编号
- C2760090
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 325nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.4nF |
商品概述
这些器件是基于MDmesh M5创新垂直工艺技术与知名的PowerMESH水平布局相结合的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
- 绿色产品
应用领域
- 高性能或门、电子保险丝
- 超高电流电池充放电