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IRF7319TRPBF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。SO-8已通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，多个器件可在应用中使用，从而显著减少电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊技术。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7319TRPBF
- 商品编号
- C2760082
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
优惠活动
购买数量
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