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SLM2186CA-DG
600V高侧与低侧驱动器
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- 描述
- 600V半桥，不带互锁，Vo：10-20V，HI/LI正逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns
- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SLM2186CA-DG
- 商品编号
- C2759831
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 8ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 170ns | |
| 传播延迟 tpHL | 170ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 290uA |
商品概述
SLM2186是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达600V。
商品特性
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在+600V下完全正常工作
- 低VCC电压工作
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10V至20V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V和5V逻辑兼容
- 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
- 双通道传播延迟匹配
- 输出与输入同相
- 符合RoHS标准的SOP8封装