- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQS201CENW-T1_GE3
汽车用P沟道CMOS FET，采用TrenchFET技术，通过AEC - Q101认证
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS201CENW-T1_GE3
- 商品编号
- C26428624
- 商品封装
- PowerPAK1212-8W
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 949pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 421pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感应开关(UIS)测试
- P沟道MOSFET