PUSB3FR6Z
ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流:7A@8/20us
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- 描述
- 该器件旨在保护高速接口,如 SuperSpeed 和 Hi-Speed USB 组合、SD 存储卡 3.0 和雷电接口免受静电放电 (ESD) 影响。该器件包含六个用于超高速信号线的高级 ESD 保护二极管结构。该器件采用无引脚超小型 DFN2111 - 7 (SOT1358 - 1) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。所有信号线均由特殊的二极管结构保护,仅提供 0.35 pF 的超低线路电容。这些二极管采用回滞结构,以便为下游组件提供高达 ±15 kV 接触的 ESD 电压保护,超过 IEC 61000 - 4 - 2 4 级标准。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PUSB3FR6Z
- 商品编号
- C295447
- 商品封装
- XSON-7(1.2x2.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | - | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 3V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压(VBR) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1nA | |
| 通道数 | 六路 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 防护等级 | - | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.35pF |
商品概述
该器件旨在保护高速接口,如超高速和高速USB组合、SD存储卡3.0和雷电接口免受静电放电(ESD)影响。 该器件包含六个用于超高速信号线的高级ESD保护二极管结构。该器件采用无引脚超小型DFN2111 - 7(SOT1358 - 1)表面贴装器件(SMD)塑料封装。 所有信号线均由特殊的二极管结构保护,仅提供0.35 pF的超低线路电容。这些二极管采用回滞结构,以便为下游组件提供高达±15 kV接触的ESD电压保护,超过IEC 61000 - 4 - 2的4级标准。
商品特性
- 为USB 2.0和USB 3.2组合、SD存储卡和雷电接口提供系统级ESD保护
- 支持10 Gbps的超高速USB 3.2
- 所有信号线均集成了轨到轨钳位二极管,为下游提供超过IEC 61000 - 4 - 2 4级标准的±15 kV ESD保护
- 匹配0.5 mm的走线间距
- 每个通道的线路电容仅为0.35 pF
- 设计友好的“直通式”信号路由
应用领域
-便携式和可穿戴设备-智能手机和平板电脑-电视和显示器-DVD录像机和播放器-笔记本电脑、主板显卡和端口-机顶盒和游戏机
- PTVS48VS1UR,115
- MMBZ15VAL,215
- PNE20010ERX
- PDTD123YT,215
- PDTC123YU,115
- NX3008PBKS,115
- BZX84J-B4V3,115
- BZX84J-B3V9,115
- BZX84J-B15,115
- BZX84J-B12,115
- BZX84-B7V5,215
- BZX384-B8V2,115
- BUK9K35-60E,115
- 74HCT164BQ,115
- 74HC74BQ,115
- 74HC00BQ,115
- ARG06FTC1100
- URA4805YMD-10WR3
- F0603FA1500V063T-PUL
- MHCD201610A-R47M-A8L
- LVS303015-1R5M-N


