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NX3008PBKS,115实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NX3008PBKS,115

2个P沟道 耐压:30V 电流:200mA

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描述
采用沟槽 MOSFET 技术的双 P 沟道增强型场效应晶体管(FET),采用非常小的 SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
NX3008PBKS,115
商品编号
C295452
商品封装
SOT-363(SC-88)​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))4.1Ω@4.5V
耗散功率(Pd)445mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)720pC@4.5V
输入电容(Ciss)46pF
反向传输电容(Crss)2.3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管(FET),封装于超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装中。

商品特性

  • 开关速度极快
  • 静电放电(ESD)保护高达2 kV
  • 低阈值电压
  • 通过AEC - Q101认证
  • 沟槽MOSFET技术

应用领域

  • 继电器驱动器
  • 高端负载开关
  • 高速线路驱动器
  • 开关电路

数据手册PDF