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BUK9K35-60E,115
2个N沟道 耐压:60V 电流:22A
- 描述
- 双逻辑电平 N 沟道 MOSFET 采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双电源 SO8）。该产品经设计和认证符合 AEC Q101 标准，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9K35-60E,115
- 商品编号
- C295460
- 商品封装
- LFPAK56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.081nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交8单
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