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CSD17308Q3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

CSD17308Q3

1个N沟道 耐压:30V 电流:50A

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描述
CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
CSD17308Q3
商品编号
C294987
商品封装
VSON-CLIP-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.084克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@3V
耗散功率(Pd)28W
阈值电压(Vgs(th))1.8V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)700pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)365pF

商品概述

30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET功率MOSFET旨在用于最大程度降低功率转换应用中的损耗并针对5V栅极驱动器应用进行了优化。 特性：

商品特性

  • 针对5V栅极驱动器进行了优化
  • 超低Qg和Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合RoHS
  • 无卤素
  • VSON 3.3mm × 3.3mm塑料封装

应用领域

  • 笔记本电脑负载点
  • 网络、电信和计算系统的负载点同步降压