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TPD80R750C
800V,电流:8A,耐压:800V
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD80R750C
- 商品编号
- C2686307
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.066nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ST1004SRG是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。该工艺特别用于提高DC/DC传统开关PWM控制器的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- @ VGS = 10V
- 100V/1.0A，RDS(ON) = 310 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT-23封装设计
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