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TPD60R580C
600V超结功率MOSFET,电流:7A,耐压:600V
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD60R580C
- 商品编号
- C2686306
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.537克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 587pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4407采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至4.5 V的栅极电压下工作。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 在栅源电压（VGS） = -4.5 V、漏极电流（ID） = -6.0 A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 在栅源电压（VGS） = -10 V、漏极电流（ID） = -10.0 A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 14 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池开关
- 负载开关
- 电源管理
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