1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
- 1+: ¥2.75 / 个
- 10+: ¥2.45 / 个
- 30+: ¥2.3 / 个
- 100+: ¥2.16 / 个
- 500+: ¥2.07 / 个
- 1000+: ¥2.03 / 个 (折合1圆盘5075元)
1+: |
¥2.75 / 个 |
10+: |
¥2.45 / 个 |
30+: |
¥2.3 / 个 |
100+: |
¥2.16 / 个 |
500+: |
¥2.07 / 个 |
1000+: |
¥2.03 / 个 (折合1圆盘5075元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
功率(Pd) | 63W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 500mΩ@10V,3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 14.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 587pF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |