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RU30S15H
双P沟道,电流:-15A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU30S15H
- 商品编号
- C2685748
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ST2318SRG是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) = 15mΩ(典型值)
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 22mΩ(典型值)
- 30V/-15A
- 低导通电阻
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 可提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护
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