CM1104-MBB
二合一保护IC
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CM1104-MBB
- 商品编号
- C2685498
- 商品封装
- DFN-4L-EP(2.4x3.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | - | |
| 最大充电电流 | - | |
| 充电饱和电压 | 4.325V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 放电截止电压 | 2.52V | |
| 电池类型 | - | |
| 电池节数 | 1 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
CM1104 系列内置有高精度电压检测电路和延迟电路,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流等保护。适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池的保护电路。
商品特性
- 高精度电压检测功能:
- 过充电检测电压:3.5 V ~ 4.7 V,精度 ±25 mV
- 过充电迟滞电压:0.100V,0.200V,精度 ±50 mV
- 过放电检测电压:2.0 V ~ 3.2 V,精度 ±80 mV
- 过放电迟滞电压:0 ~ 0.600V,精度 ±100 mV
- 放电过流检测电压:0.025V ~ 0.300V,精度 ±15 mV
- 短路检测电压:0.25V,0.35V,0.50V,1.0V,精度 ±20%
- 充电过流检测电压:-0.050V ~ -0.180V,精度 ±30%
- 允许,禁止有,无断开负载VDIOV,VRIOV工作模式
- 休眠时过放电时:2.0 μA (典型值) (Ta = +25°C);0.1 μA (最大值) (Ta = +25°C);0.7 μA (典型值) (Ta = +25°C)
- RoHS、无铅、无卤素
- 内置低导通内阻 N-MOSFET,VDS = 15V,ESD Rating:2000V HBM
应用领域
- 手机电池
