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3201ESA/T实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

3201ESA/T

半桥驱动

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描述
3201/3202 是一款高压、高速MOSFET 和IGBT 驱动芯片,具有独立的高压侧和低压侧输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS 输出或者LSTTL 输出兼容,最低可至 3.3V。
品牌名称
VP(中芯集成)
商品型号
3201ESA/T
商品编号
C2684797
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.744克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)-
拉电流(IOH)-
工作电压10V~20V
属性参数值
上升时间(tr)100ns
下降时间(tf)50ns
传播延迟 tpLH160ns
传播延迟 tpHL150ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-25℃~+125℃
静态电流(Iq)150uA

商品概述

3201/3202 是一款高压、高速MOSFET 和IGBT 驱动芯片,具有独立的高压侧和低压侧输出通道。专有的高压栅工艺和抗闩锁CMOS技术使集成电路具有很高的可靠性。逻辑输入与标准的CMOS 输出或者LSTTL 输出兼容,最低可至 3.3V。在输出驱动级,具有为最小化驱动级的交叉传导专门设计的高脉冲电流缓冲级。在工作电压高至600V 的高压侧,浮动通道可用来驱动N 型功率MOSFET 或IGBT。

商品特性

  • 为自举工作模式设计的浮动通道
  • 工作电压可以高达 +600V
  • 10~20V 的栅极驱动电压范围
  • 内置欠压锁定保护
  • 兼容3.3V、5V 及15V 逻辑电平输入
  • 两个输出通道的传播延时互相匹配
  • 输出与输入同相位(3201),或者输出与输入反相(3202)

数据手册PDF