温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFU120ZPBF-VB
N沟道 耐压:100V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块。TO251；N—Channel沟道,100V；12A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFU120ZPBF-VB
- 商品编号
- C2680719
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
这款功率 MOSFET 采用先进的平面条形 DMOS 技术制造。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- RDS(ON) = 0.6Ω（典型值），VGS = 10V 时。
- 低栅极电荷（典型值 15nC）
- 高耐用性
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了 dv/dt 能力