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IRFZ34NSTR-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。表面贴装。提供卷带包装。动态dV/dt额定值。逻辑电平栅极驱动。快速开关。符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFZ34NSTR-VB
- 商品编号
- C2680722
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 隔离式 DC/DC 转换器