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ISL6173DRZA-T

ISL6173DRZA T

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6173DRZA-T
商品编号: C2678382
商品封装: QFN-28-EP(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品概述

该集成电路适用于双电压热插拔应用，标称偏置电源电压范围为+2.5V至+3.3V，第二低电压轨可低至小于1V。它具备用于驱动外部N沟道MOSFET的电荷泵、受调节的电流保护及持续时间控制、输出欠压监测与报告、可选的锁断或重试响应以及可调节的软启动功能。每个电压轨的电流调节水平（CR）由两个外部电阻设定，每个CR持续时间由TIM引脚的外部电容设定。CR持续时间结束后，集成电路会迅速拉低相关的GATE输出，关闭其外部FET。ISL6173提供锁存输出或无限自动重试的工作模式。 ISL6173适用于偏置为2.1V至3.6VDC的双电压热插拔应用，受控电压可低至0.7VDC。该集成电路的主要功能是限制和调节流入负载的浪涌电流。这通过以可控方式增强外部MOSFET来实现。为了完全增强MOSFET，集成电路必须提供足够的栅源电压，通常为5V或更高。因此，栅极（GT）引脚的最终稳态电压必须比负载电压高5V。两个内部电荷泵可实现这一点。

商品特性

快速电流调节放大器能迅速响应过流故障情况
对完全短路的响应时间小于1µs
可编程的电流调节水平和持续时间
两级过流检测，可快速响应不同的故障情况
过流断路器和故障隔离功能
可调节的电流调节阈值低至20mV
可选择锁断或自动重试以响应故障情况
可调节的电压斜坡上升，用于开启时的浪涌保护
电压轨独立控制、监测和报告输入/输出
双电源热插拔电源分配控制，电压可低至<1V
电荷泵允许使用N沟道MOSFET
QFN封装：符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚封装）——封装外形接近芯片级封装尺寸，可提高PCB效率，且外形更薄
提供无铅加退火工艺（符合RoHS标准）

应用领域

电源排序、分配和控制
热插拔/电子断路器电路

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	属性	参数值
	商品目录	浪涌保护器
	通道数	2