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DS100KR401SQE/NOPB实物图
  • DS100KR401SQE/NOPB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DS100KR401SQE/NOPB

DS100KR401 超低功耗4通道(8通道,双向)中继器,支持高达10.3 Gbps的数据速率

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描述
DS100KR401是一款超低功耗高性能中继器,设计用于支持4通道(双向)10G-KR和其他高速接口串行协议,最高可达10.3 Gbps。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
DS100KR401SQE/NOPB
商品编号
C2675189
商品封装
WQFN-54-EP(5.5x10)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录信号缓冲器/中继器/分配器
类型-
输入类型CML
输出类型CML
工作电压2.375V~3.6V
属性参数值
通道数8
数据速率10.3Gbps
延迟时间200ps
输入电容-
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

DS100KR401是一款极低功耗、高性能的中继器,设计用于支持4通道(双向)10G-KR以及其他高达10.3 Gbps的高速接口串行协议。接收器的连续时间线性均衡器(CTLE)在每个通道上提供高达+36 dB的增益(5 GHz时,即10.3125 Gbps),能够打开由于互连介质(如长背板或电缆)引起的符号间干扰(ISI)而完全闭合的输入眼图,从而确保主机控制器实现无错误的端到端链路。发射器提供高达-12 dB的去加重增强和700 mV至1300 mV的输出电压幅度控制,以允许在互连通道内的物理放置具有最大灵活性。

当工作在10G-KR模式下时,DS100KR401透明地允许主机控制器和端点根据802.3ap标准优化整个链路并协商传输均衡器系数。这种无缝管理链路训练协议的方式确保了系统级互操作性,并且具有最小的延迟。

可通过引脚选择、EEPROM或SMBus接口进行编程。单电源操作可选:2.5V或3.3V。工作温度范围:-40°C至±85°C。3 kV HBM ESD等级。采用10mm x 5.5mm x 4引脚无引线WQFN封装的直通式引脚布局。

DS100KR401的每通道典型功耗为65 mW,并可以选择关闭未使用的通道,这使得其能够实现节能系统设计。需要单个3.3V或2.5V电源来为设备供电。

可通过引脚设置、SMBus (I2C)协议或外部EEPROM应用可编程设置。当处于EEPROM模式下运行时,配置信息会在上电时自动加载。这样就消除了对外部微处理器或软件驱动程序的需求。

这些设备内置有限的ESD保护。在存储或处理期间,应将引脚短接在一起或将设备放置在导电泡沫中,以防止静电对MOS栅极造成损害。

商品特性

  • 4通道(8路,双向)中继器,支持4x 10G-KR及其他最高达10.3 Gbps的串行标准
  • 透明管理10G-KR (802.3ap)链路训练协议
  • 可通过引脚选择、EEPROM或SMBus接口进行编程
  • 单电源工作电压可选:2.5V或3.3V
  • 工作温度范围:-40°C至±85°C
  • 3 kV HBM ESD等级
  • 采用10mm x 5.5mm x 4引脚无引线WQFN封装,具有贯通式引脚布局
  • 低功耗:每通道65 mW(典型值)
  • 可关闭未使用的通道
  • 在EEPROM模式下,上电时自动加载配置

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