SN74CB3T3384DBQR

SN74CB3T3384 是一种高速TTL兼容的FET总线开关，具有低导通电阻（ron），可实现最小的传播延迟。该器件通过提供跟踪Vcc的电压转换，支持所有数据I/O端口上的混合模式信号操作。SN74CB3T3384 支持使用5V TTL、3.3V LVTTL和2.5V CMOS切换标准的系统，以及用户定义的切换电平。

输出电压转换跟踪Vcc

• 支持所有数据I/O端口上的混合模式信号操作
• 5V输入到3.3V输出电平转换，Vcc为3.3V
• 5V/3.3V输入到2.5V输出电平转换，Vcc为2.5V
• 当器件上电或掉电时，5V耐受的I/O
• 双向数据流，几乎零传播延迟
• 低导通电阻（ron = 5 Ω 典型值）
• 低输入/输出电容，减少负载（Cio(0FF) = 5 pF 典型值）
• 数据和控制输入提供下冲箝位二极管
• 低功耗（ICC = 40 μA 最大值）

Vcc工作范围从2.3 V到3.6 V

• 数据I/O支持0至5V信号电平（例如：0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V）
• 控制输入可以由TTL或5V/3.3V/2.5V CMOS输出驱动
• IOFF支持部分掉电模式操作
• 锁存性能超过每JESD17 250 mA
• ESD性能测试符合JESD 22
  • 2000V人体模型（A114-B，II类）
  • 1000V带电设备模型（C101）
• 支持数字应用：电平转换、存储器交错、总线隔离
• 适用于低功耗便携式设备

SN74CB3T3384 组织为两个5位总线开关，具有独立的输出使能（1OE, 2OE）输入。它可以作为两个5位总线开关使用，也可以作为一个10位总线开关使用。当OE为低时，相关的5位总线开关闭合，A端口连接到B端口，允许端口之间的双向数据流。当OE为高时，相关的5位总线开关断开，在A端口和B端口之间存在高阻态。

该器件完全指定了使用IOFF的部分掉电应用。IOFF功能确保在掉电时不会通过器件产生损坏电流。该器件在掉电期间具有隔离特性。