DG444DVZ-T
DG444DVZ T
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- DG444DVZ-T
- 商品编号
- C2673570
- 商品封装
- TSSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 单刀单掷(SPST)-常闭 | |
| 通道数 | 4 | |
| 工作电压 | -20V~20V | |
| 导通时间(ton) | 250ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 85Ω | |
| 关闭时间(toff) | 140ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 16pF |
商品概述
DG444和DG445单片CMOS模拟开关可直接替代广受欢迎的DG211和DG212系列器件。它们包含四个独立的单刀单掷(SPST)模拟开关,以及与TTL和CMOS兼容的数字输入。 与DG211和DG212相比,这些开关具有更低的模拟导通电阻(< 85Ω)和更快的开关时间(tON < 250ns)。电荷注入已减少,简化了采样保持应用。 DG444系列的改进得益于采用高压硅栅工艺。外延层可防止与旧CMOS技术相关的闩锁效应。44V的最大电压范围允许在使用±20V电源时控制±20V信号。 四个开关为双向开关,对交流或双向信号具有相同的匹配性能。在±5V模拟输入范围内,模拟信号的导通电阻变化非常小。DG444和DG445中的开关相同,仅选择逻辑的极性不同。
商品特性
- 导通电阻(最大值):85Ω
- 低功耗(PD):< 35μW
- 快速开关动作 - tON(最大值):250ns
- tOFF(最大值,DG444):140ns
- 低电荷注入
- 可从DG211、DG212升级
- 与TTL、CMOS兼容
- 单电源或双电源供电
- 提供无铅加退火版本(符合RoHS标准)
应用领域
- 音频切换
- 电池供电系统
- 数据采集
- 高可靠性系统
- 采样保持电路
- 通信系统
- 自动测试设备
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单

