TPS59116RGET

TPS59116 为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 内存系统提供了完整的电源解决方案。它集成了一个同步降压控制器，带有 3A 灌电流和拉电流跟踪线性稳压器和缓冲低噪声参考源。在空间非常宝贵的系统中，TPS59116 提供了最低的整体解决方案成本。TPS59116 同步控制器运行固定 400kHz 伪恒定频率 PWM，并具有自适应导通时间控制，可以在 D-CAP模式下配置以简化使用并实现最快的瞬态响应，或在电流模式下支持陶瓷输出电容。3A 灌电流/拉电流 LDO 仅需 20µF（2 x 10 µF）的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应。此外，外部可用的 LDO 供电输入可以显著降低总功耗。TPS59116 支持所有睡眠状态控制，在 S3（挂起到 RAM）状态下将 VTT 置于高阻态，并在 S4/S5（挂起到磁盘）状态下放电 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关断）。TPS59116 具备所有保护功能，包括热关断，并采用 24 引脚 4 mm x 4 mm QFN 封装。

• 同步降压控制器 (VDDQ)
  • 宽输入电压范围：3.0V 至 28V
  • D-CAP 模式，负载阶跃响应时间为 100 纳秒
  • 电流模式选项支持陶瓷输出电容
  • 支持 S4/S5 状态下的软关断
  • 从 RDS(on) 或电阻进行电流检测
  • 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可调至 1.5V (DDR3) 或输出范围 0.75V 至 3.0V
  • 配备电源良好、过压保护和欠压保护
• 3A LDO (VTT)，缓冲参考 (VREF)
  • 能够吸入和输出 3A 电流
  • 可用的 LDO 输入以优化功率损耗
  • 需要小容量 20 μF 陶瓷输出电容
  • 缓冲低噪声 10 mA VREF 输出精度 ±20 mV，适用于 VREF 和 VTT
  • 支持 S3 状态下的高阻态和 S4/S5 状态下的软关断
  • 热关断

• 嵌入式计算系统中的DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3内存电源供应
• SSTL-2
• SSTL-18
• HSTL 终端电阻