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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | AC-DC控制器和稳压器 | |
| 工作电压 | 9V~30V | |
| 开关频率 | 2MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大占空比 | 96% | |
| 拓扑结构 | 反激式；升压式 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃@(TA) |
商品概述
ISL88550A集成了一个同步降压PWM控制器以生成VDDQ、一个源型和灌型LDO线性稳压器以生成VTT，以及一个10mA参考输出缓冲器以生成VTTR。降压控制器驱动两个外部N沟道MOSFET，可在2V至25V输入下生成低至0.7V的输出电压，输出电流最高可达15A。LDO可连续提供高达2.5A的电流，并可连续吸收高达 -2.0A的电流。通过内置电阻分压器，LDO输出和10mA参考缓冲器输出均可跟踪REFIN电压。这些特性使ISL88550A非常适合用于台式机、笔记本电脑和显卡中的DDR内存应用。 ISL88550A中的PWM控制器采用恒定导通时间PWM架构，可编程开关频率最高可达600kHz。这种控制方案可轻松处理宽输入/输出电压比，并能在保持高效率和相对恒定开关频率的同时，对负载瞬变提供100ns的“即时导通”响应。ISL88550A提供完全可编程的欠压保护（UVP）/过压保护（OVP）和跳周期模式选项，非常适合便携式应用。跳周期模式可提高轻载时的效率。 VTT和VTTR输出跟踪VREFIN/2。该LDO稳压器的高带宽可实现出色的瞬态响应，无需大容量电容，从而降低了成本和尺寸。 降压控制器和LDO稳压器均设有独立的电流限制。通过监测低端同步MOSFET的漏源电压降，可实现降压稳压器的可调无损折返式电流限制。一旦过流情况消除，稳压器可再次进入软启动。这有助于在短路情况下将功耗降至最低。此外，还内置了过压和欠压保护机制。ISL88550A可通过SHDNA#和STBY#输入实现灵活的时序控制和待机电源管理。
商品特性
- 无铅（符合RoHS标准）
- 降压控制器：
- 具有100ns负载阶跃响应的恒定导通PWM
- 可在预偏置输出电压下启动
- 效率高达95%
- 输入电压范围为2V至25V
- 2.5V固定输出或0.7V至3.5V可调输出
- 200kHz/300kHz/450kHz/600kHz开关频率
- 具有折返功能的可编程电流限制
- 1.7ms数字软启动和独立关断功能
- 过压/欠压保护选项
- 电源良好窗口比较器
- LDO部分：
- 完全集成的VTT和VTTR功能
- VTT具有+2.5A/ -2.0A的源型/灌型能力
- 可在预偏置输出电压下启动
- VTT和VTTR输出跟踪VREFIN/2
- VTT和VTTR为VREFIN/2的±1%
- 全陶瓷输出电容的低设计
- 输入REFIN范围为1.0V至2.8V
- 模拟软启动选项和独立关断功能
- 电源良好窗口比较器
应用领域
- DDR、DDR II和DDR III内存电源
- 台式计算机
- 笔记本电脑和上网本
- 显卡
- 游戏机
- 网络设备和RAID