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LM5022QDGSTQ1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LM5022QDGSTQ1

LM5022QDGSTQ1

描述
LM5022-Q1 符合 AEC-Q100 标准的 6V 至 60V 宽输入电压、电流模式升压、SEPIC 和反激式控制器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LM5022QDGSTQ1
商品编号
C2658391
商品封装
VSSOP-10-0.5mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.163克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型升压型
工作电压6V~60V
输出电压-
输出电流-
开关频率2.24MHz
工作温度-40℃~+125℃@(TJ)
属性参数值
同步整流
输出通道数1
拓扑结构SEPIC;升压式
静态电流(Iq)-
开关管(内置/外置)外置
输出类型-

商品概述

LM5022-Q1是一款高压、低侧N沟道MOSFET控制器,非常适合升压稳压器和SEPIC稳压器。该器件包含实现单端一次侧拓扑所需的全部功能。输出稳压基于电流模式控制,这不仅简化了环路补偿的设计,同时还能够提供固有输入电压前馈。LM5022-Q1包含一个启动稳压器,该稳压器在6V至60V的宽输入电压范围内工作。PWM控制器专为高速性能而设计,振荡器频率范围高达2.2MHz,总传播延迟不到100ns。其他功能包括误差放大器、精密基准、线路欠压锁定、逐周期电流限制、斜率补偿、软启动、外部同步功能以及热关断。LM5022-Q1采用10引脚VSSOP封装。

商品特性

  • 具有符合AEC-Q100 1级标准的下列结果:
  • 器件温度等级1: -40°C至125°C的环境运行温度范围
  • 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2
  • 器件组件充电模式(CDM) ESD分类等级C5
  • 内部60V启动稳压器
  • 峰值电流为1A的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器
  • VIN范围:6V至60V(启动后,最低可以在3V下工作)
  • 占空比限值为90%
  • 可编程欠压锁定(UVLO)与滞后
  • 逐周期电流限制
  • 可通过单个电阻设置振荡器频率
  • 外部时钟同步

应用领域

  • 升压转换器
  • SEPIC转换器

交货周期

订货3-5个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 100 个)
起订量:100 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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