LM5022QDGSTQ1
LM5022QDGSTQ1
- 描述
- LM5022-Q1 符合 AEC-Q100 标准的 6V 至 60V 宽输入电压、电流模式升压、SEPIC 和反激式控制器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5022QDGSTQ1
- 商品编号
- C2658391
- 商品封装
- VSSOP-10-0.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 升压型 | |
| 工作电压 | 6V~60V | |
| 输出电压 | - | |
| 输出电流 | - | |
| 开关频率 | 2.24MHz | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(TJ) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | SEPIC;升压式 | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 开关管(内置/外置) | 外置 | |
| 输出类型 | - |
商品概述
LM5022-Q1是一款高压、低侧N沟道MOSFET控制器,非常适合升压稳压器和SEPIC稳压器。该器件包含实现单端一次侧拓扑所需的全部功能。输出稳压基于电流模式控制,这不仅简化了环路补偿的设计,同时还能够提供固有输入电压前馈。LM5022-Q1包含一个启动稳压器,该稳压器在6V至60V的宽输入电压范围内工作。PWM控制器专为高速性能而设计,振荡器频率范围高达2.2MHz,总传播延迟不到100ns。其他功能包括误差放大器、精密基准、线路欠压锁定、逐周期电流限制、斜率补偿、软启动、外部同步功能以及热关断。LM5022-Q1采用10引脚VSSOP封装。
商品特性
- 具有符合AEC-Q100 1级标准的下列结果:
- 器件温度等级1: -40°C至125°C的环境运行温度范围
- 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2
- 器件组件充电模式(CDM) ESD分类等级C5
- 内部60V启动稳压器
- 峰值电流为1A的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器
- VIN范围:6V至60V(启动后,最低可以在3V下工作)
- 占空比限值为90%
- 可编程欠压锁定(UVLO)与滞后
- 逐周期电流限制
- 可通过单个电阻设置振荡器频率
- 外部时钟同步
应用领域
- 升压转换器
- SEPIC转换器
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘,最小起订量 100 个)个
起订量:100 个1个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单

