温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

LM3478QMMX/NOPB

高效率、低侧N沟道控制器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: LM3478Q-Q1是适用于开关稳压器的多功能低侧N沟道MOSFET控制器。它适用于需要低侧MOSFET的拓扑,如升压、反激、SEPIC等。LM3478Q-Q1具备1A峰值电流能力的内部推挽驱动器,能够以极高的开关频率运行,以缩小总体解决方案规模。开关频率可通过单个外部电阻器调整为介于100kHz和1MHz之间的任意值。除了逐周期电流限制外,电流模式控制还可以提供出色的带宽和瞬态响应。可以使用单个外部电阻器对输出电流进行编程。LM3478Q-Q1内置热关断、短路保护、过压保护等特性。节能关断模式可以将总电源电流降低至5μA并允许进行电源定序。内部软启动会在启动时限制浪涌电流。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM3478QMMX/NOPB
商品编号: C2658289
商品封装: VSSOP-8-0.65mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.083克(g)

商品参数

商品概述

LM3478Q-Q1 是适用于开关稳压器的多功能低侧N沟道MOSFET控制器。它适用于需要低侧MOSFET的拓扑，如升压、反激、SEPIC等。此外，LM3478Q-Q1 还能够以极高的开关频率运行，以缩小总体解决方案规模。LM3478Q-Q1 的开关频率可通过单个外部电阻器调整为介于100kHz 和1MHz 之间的任意值。除了逐周期电流限制外，电流模式控制还可以提供出色的带宽和瞬态响应。可以使用单个外部电阻器对输出电流进行编程。 LM3478Q-Q1 内置热关断、短路保护、过压保护等特性。节能关断模式可以将总电源电流降低至 5μA 并允许进行电源定序。内部软启动会在启动时限制浪涌电流。

商品特性

LM3478Q-Q1 符合AEC-Q100 标准且采用汽车级工艺流程制造
8 引线VSSOP-8
具备1A 峰值电流能力的内部推挽驱动器
电流限制和热关断
通过电容器和电阻器优化的频率补偿
内部软启动
电流模式运行
带有迟滞功能的欠压闭锁
使用LM3478 并借助WEBENCH 电源设计器创建定制设计方案

应用领域

分布式电源系统
电池充电器
离线电源
电信电源
汽车电源系统

优惠活动

购买数量

(3500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个3500个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交12单

	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	升压型
	工作电压	2.97V~40V
	输出电压	-
	输出电流	-
	开关频率	1MHz
	工作温度	-40℃~+125℃@(TJ)

	属性	参数值
	同步整流	否
	输出通道数	1
	拓扑结构	SEPIC；升压式；反激式
	静态电流(Iq)	-
	开关管(内置/外置)	外置
	输出类型	可调