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M24LR64E-RDW6T/2

动态NFC/RFID标签IC，带64Kbit EEPROM、能量收集、I2C总线和ISO 15693 RF接口

描述: 动态NFC/RFID标签IC，具有I2C接口和从Vcc电源供电的能力。它还是一种由接收的载波电磁波供电的无接触内存。M24LR64E-R被组织为12C模式下的8192 × 8位和ISO 15693及ISO 18000-3模式1 RF模式下的2048 × 32位。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24LR64E-RDW6T/2
商品编号: C2654802
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品特性

属于ST25系列，该系列涵盖意法半导体（ST）所有NFC/RF ID标签和读写器产品
两线I²C串行接口，支持400 kHz协议
单电源电压：1.8 V至5.5 V
字节和页写入（最多4字节）
随机和顺序读取模式
自定时编程周期
自动地址递增
增强型ESD/闩锁保护
I²C超时
兼容ISO 15693和ISO 18000-3模式1
载波频率：13.56 MHz ±7 kHz
向标签：使用1/4（26 Kbit/s）或1/256（1.6 Kbit/s）脉冲位置编码进行10%或100% ASK调制
从标签：在低（6.6 kbit/s）或高（26 kbit/s）数据速率模式下，使用曼彻斯特编码和423 kHz及484 kHz副载波进行负载调制。通过快速命令支持53 kbit/s数据速率
内部调谐电容：27.5 pF
64位唯一标识符（UID）
读块与写（32位块）
用户可配置引脚：射频写入进行中或射频繁忙模式
用于能量收集的模拟引脚
四种灌电流可配置范围
温度范围：-40至85 ℃
64 Kbit EEPROM组织形式：I²C模式下为8192字节，射频模式下为2048个32位块
写入时间：I²C模式下为5 ms（最大），射频模式下为5.75 ms（含内部验证时间）
写入循环耐久性：25 ℃时为100万次写入循环，85 ℃时为15万次写入循环
数据保留时间超过40年
射频模式下多重密码保护
I²C模式下单重密码保护

订货10-15个工作日

(4000个/圆盘，最小起订量 4000 个)

个

起订量：4000 个4000个/圆盘

￥ 0.00

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	属性	参数值
	频率	13.56MHz
	工作电压	1.8V~5.5V