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ZXGD3111N7TC
ZXGD3111N7TC
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- 描述
- 用于驱动极低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作为理想二极管，可替代标准整流器，以降低正向压降并提高功率传输效率。可用于高侧和低侧电源单元 (PSU)，轨电压高达 ±200V。关断阈值仅为 -3mV，公差为 ±2mV，可使极低 RDS(ON) MOSFET 作为理想二极管工作。在典型的 48V 配置中，待机功耗 <50mW，静态电源电流 <1mA。在 PSU 故障情况下，OR 控制器可检测到功率降低，并在 <600ns 内迅速关断 MOSFET，以阻止反向电流流动，避免公共总线电压下降。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXGD3111N7TC
- 商品编号
- C2653638
- 商品封装
- SOIC-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 理想二极管 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | - | |
| 工作电压 | 4V~25V | |
| 导通电阻 | - | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
ZXGD3111N7 是一款200V有源OR’ing MOSFET控制器，设计用于驱动低RDS(ON)功率MOSFET作为理想二极管。这可以替代标准整流器，以降低正向电压降并整体提高功率传输效率。
ZXGD3111N7可用于高侧和低侧电源单元（PSU），支持高达±200V的电源轨。它使非常低RDS(ON)的MOSFET能够作为理想二极管工作，因为关断阈值仅为-3mV，且具有±2mV的容差。在典型的48V配置中，待机功耗<50mW，因为低静态电流<1mA。在PSU故障条件下，OR’ing控制器会检测到功率下降，并在<600ns内迅速关闭MOSFET，以阻止反向电流流动并避免公共总线电压下降。
应用领域
- 主动OR'ing控制器在：
- (N+) 冗余电源供应
- 电信和网络数据中心及服务器
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