LM74610QDGKRQ1
零IQ反极性保护智能二极管控制器
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管控制器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM74610QDGKRQ1
- 商品编号
- C2649431
- 商品封装
- VSSOP-8-0.65mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 反向耐压 | 45V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 栅极驱动电压 | 6.3V | |
| 正向压降(Vf) | 480mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 0uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 拉电流(IOH) | 3.4uA | |
| 灌电流(IOL) | 160mA |
商品概述
LM74610-Q1 是一款控制器器件,可与N 沟道MOSFET 一同用于反极性保护电路。其设计用于驱动外部MOSFET,串联电源时可模拟理想二极管整流器。该机制的独特优势在于不以接地为参考,因此Iq为零。 LM74610-Q1 控制器为外部N 沟道MOSFET 提供栅极驱动,并配有快速响应内部比较器,可使MOSFET 栅极在反极性情况下放电。这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时反向电流的大小和持续时间。此外,该器件设计选用了合适的TVS 二极管,符合CISPR25 5 类EMI 规范和汽车类ISO7637 瞬态要求。
商品特性
- 符合汽车应用要求具有符合AEC-Q100 的下列结果
- 超出人体模型(HBM) 静电放电(ESD) 分类等级2器件充电器件模型(CDM) ESD 分类等级C4B
- 最低反向电压:45V
- 正极引脚无正电压限制
- 适用于外部N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的电荷泵栅极驱动器
- 功耗比肖特基二极管/PFET 解决方案更低
- 低反极性泄漏电流
- 零IQ
- 2μs 内快速响应反极性情况
- -40°C 至 125°C 工作环境温度
- 可用于OR-ing 应用
- 符合CISPR25 EMI 规范
- 选用了合适的瞬态电压抑制器(TVS) 二极管,满足汽车类ISO7637 瞬态要求
应用领域
- 高级驾驶员辅助系统(ADAS)
- 信息娱乐系统
- 电动工具(工业)
- 传输控制单元(TCU)
- 电池OR-ing 应用
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交100+单
相似推荐
其他推荐
