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HSTN254033UL50

4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列，具有低钳位电压和低工作电压，采用改进齐纳结构，符合RoHS标准且无卤

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描述: 此款Uni单向保护器采用四通道架构，专为3.3V电压平台设计，每通道可处理4A峰值脉冲电流，且具有0.6pF的超低电容，确保信号完整无损与高速传输，为多线路系统提供强大且精密的电路保护解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSTN254033UL50
商品编号: C25503711
商品封装: DFN2510-10L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

商品概述

HSTN254033UL50是一款4通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间集成了一个齐纳二极管到阵列中。在典型应用中，负轨引脚（指定为GND）与系统地相连。正ESD电流通过ESD二极管和齐纳二极管导向地，正ESD电压被钳位到齐纳电压。封装为DFN2510 - 10L。

商品特性

4通道ESD保护
提供符合IEC61000 - 4 - 2 4级的ESD保护
±15kV空气放电
±10kV接触放电
通道I/O到地电容：最大0.55pF
通道I/O到I/O电容：最大0.6pF
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化封装，便于高速数据线PCB布局
符合RoHS标准且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	击穿电压(VBR)	5.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	四路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.6pF