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HRCLAMP3324PQ

单向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款静电和浪涌保护器件是一款单向保护器，设计用于4通道的应用环境，每通道提供3.3V的工作电压和4A的电流处理能力。其结电容典型值为0.6pF，适用于高速数据线路保护，能够有效防止静电放电和瞬态电压对敏感电路造成的损害。这种低电容特性使其成为通信设备、家用电器等消费电子产品中信号线和电源线的理想防护选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HRCLAMP3324PQ
商品编号: C25503704
商品封装: DFN2510-10L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0225克(g)

商品参数

商品概述

HRCLAMP3324PQ 是一款 4 通道超低电容轨钳位 ESD 保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负 ESD 电流导向正或负轨。在正负电源轨之间集成了一个齐纳二极管到阵列中。在典型应用中，负轨引脚（指定为 GND）与系统接地相连。正 ESD 电流通过 ESD 二极管和齐纳二极管导向接地，正 ESD 电压被钳位到齐纳电压。封装为 DFN2510 - 10L。

商品特性

4 通道 ESD 保护
提供符合 IEC61000 - 4 - 2 4 级的 ESD 保护
±15kV 空气放电
±10kV 接触放电
通道 I/O 到 GND 电容：0.55pF（最大值）
通道 I/O 到 I/O 电容：0.6pF（最大值）
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化封装，便于高速数据线 PCB 布局
符合 RoHS 标准且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	击穿电压(VBR)	5.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	四路
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.4pF；0.6pF