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ISG0614N06NM5HATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:233A
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- 描述
- 特性：对称半桥。 针对低电压驱动和电池供电应用进行优化。 针对高性能开关电源进行优化。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISG0614N06NM5HATMA1
- 商品编号
- C25397922
- 商品封装
- PGVITFN-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 233A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@86uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.44nF |