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LGE3M40120Q
碳化硅功率MOSFET，低导通电阻、开关速度快、本征二极管恢复快
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- LGE3M40120Q
- 商品编号
- C25402767
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 108pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ |
商品特性
- 低导通电阻
- 具有低电容的快速开关速度
- 具有低反向恢复 (QRR) 的快速本征二极管
应用领域
- 电机驱动器
- DC/DC 转换器
- 开关模式电源
- 太阳能逆变器