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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这些器件采用具有“基极岛”布局的平面工艺和单片达林顿结构制造。由此产生的晶体管具有极高的增益性能和极低的饱和电压。
商品特性
- 单片达林顿结构
- 集成反并联集电极 - 发射极二极管
应用领域
- 线性和开关工业设备