温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS25WJ064F-JNLE
64Mb 1.8V 串行闪存存储器，具备133MHz多I/O SPI和四路I/O QPI DTR接口
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS25WJ064F-JNLE
- 商品编号
- C24853453
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 3.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~2V | |
| 待机电流 | 8uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 1.6ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 800ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
IS25WJ064F串行闪存存储器在简化引脚数的封装中提供了一种多功能存储解决方案，具有高度的灵活性和性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数少且功耗低的系统。该设备通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可以配置为多I/O（参见引脚描述）。
该设备支持双I/O和四I/O以及标准、双输出和四输出SPI。高达133MHz的时钟频率可实现高达532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率，相当于66MB/s的数据吞吐量。IS25WJxxxF系列闪存增加了对DTR（双传输速率）命令的支持，该命令可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。这些传输速率可以超过16位并行闪存存储器，从而实现高效的内存访问，以支持XIP（原地执行）操作。
存储阵列被组织成256字节的可编程页面。该系列支持页面编程模式，在单个命令中可以编程1到256字节的数据。QPI（四外设接口）支持2周期命令，进一步减少了命令时间。页面可以按4K字节扇区、32K字节块、64K字节块和/或整个芯片进行擦除。统一的扇区和块架构提供了高度的灵活性，使该设备可用于各种需要可靠数据保留的应用。
商品特性
- 行业标准串行接口：
- IS25WJ064F：64Mbit/8Mbyte
- 每个可编程页面256字节
- 支持标准SPI、快速、双、双I/O、四、四I/O、SPI DTR、双I/O DTR、四I/O DTR和QPI
- 支持串行闪存可发现参数（SFDP）
- 高性能串行闪存（SPI）：
- 66MHz正常读取
- 快速读取高达133MHz
- 等效532 MHz QPI
- DTR（双传输速率）高达80MHz
- QPI模式下可选择的空周期
- 可配置的驱动强度
- 支持SPI模式0和3
- 超过100,000次擦除/编程周期
- 超过20年的数据保留
- 灵活高效的内存架构：
- 统一的芯片擦除：扇区/块擦除（4/32/64 Kbyte）
- 每页编程1到256字节
- 编程/擦除暂停和恢复
- 高效的读取和编程模式：
- 低命令开销操作
- 连续读取8/16/32/64字节突发回绕
- 可选择的突发长度
- QPI以减少命令开销
- 宽温度范围下的低功耗：
- 单1.65V至2.0V电源电压
- 8 μA待机电流（典型值）
- 0.1 μA深度掉电（典型值）
- 温度等级：扩展级：-40°C至+105°C；自动级（A2）：-40°C至+105°C
- 高级安全保护：
- 软件和硬件写保护
- 电源锁定保护
- 3x1024字节专用安全区域，带有OTP用户可锁定位
- 每个设备128位唯一ID（联系厂家）
- 行业标准引脚排列和封装：
- T = 8引脚USON 4x3mm
- E = 8引脚XSON 4x4mm
- K = 8引脚WSON 6x5mm
- N = 8引脚SOIC 150mil
- B = 8引脚SOIC 208mil
- W = KGD（联系厂家）
- 绿色封装（符合RoHS标准、无卤）且符合TSCA标准