- 引脚图
- 焊盘图
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IXTP05N100
IXTP05N100
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP05N100
- 商品编号
- C24853975
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
DMP3098L-7-ES是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品DMP3098L-7-ES为无铅产品。
商品特性
- 高压封装 (TO-263HV)
- 快速开关时间
- 雪崩额定
- \mathsfRds(on) HDMOSTM 工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 扩展的正向偏置安全工作区 (FBSOA)
- 高功率密度
- 节省空间
应用领域
-开关模式和谐振模式电源-反激式逆变器-直流斩波器