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IXFB52N90P引脚图
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  • 焊盘图

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IXFB52N90P

N沟道增强型雪崩额定功率MOSFET,具有快速本征二极管和低封装电感,采用Plus 264封装,节省空间、功率密度高

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFB52N90P
商品编号
C24853937
商品封装
TO-264-3​
包装方式
管装
商品毛重
12.908克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)52A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25kW
阈值电压(Vgs(th))6.5V
栅极电荷量(Qg)308nC
属性参数值
输入电容(Ciss)19nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.18nF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 适用于夹装或弹簧安装的Plus 264TM封装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF