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2N7002KDW_R1_00501
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:60V 电流:250mA
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，Ip@500mA < 3Ω。RDS(ON)，VGS@4.5V，Id@200mA < 4Ω。先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。关断状态下漏电流极低。ESD防护2KV HBM。符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002KDW_R1_00501
- 商品编号
- C24833827
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 当栅源电压 VGS 为 10 V 且漏极电流 ID 为 500 mA 时，导通电阻 RDS(ON) 小于 3 Ω
- 当栅源电压 VGS 为 4.5 V 且漏极电流 ID 为 200 mA 时，导通电阻 RDS(ON) 小于 4 Ω
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 关断状态下漏电流极低
- 静电放电保护 2KV 人体模型
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 符合 IEC 61249 标准的环保模塑料
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