- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG120R017M2HXTMA1
碳化硅MOSFET，具有极低开关损耗和稳健体二极管
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R017M2HXTMA1
- 商品编号
- C24177597
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 107A | |
| 耗散功率(Pd) | 470W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 126pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.1mΩ |
商品特性
- 在T_vj = 25°C时，V_DSS = 1200 V
- 在T_C = 100°C时，I_DDC = 76 A
- 在V_GS = 18 V、T_vj = 25°C时，R_DS(on) = 17.1 mΩ
- 极低的开关损耗
- 过载运行温度高达T_vj = 200°C
- 短路耐受时间2 μs
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加0 V关断栅极电压
- 体二极管坚固，适用于硬换流
- 采用.XT互连技术，实现同类的热性能
应用领域
- 电动汽车充电
- 在线式UPS/工业UPS
- 组串式逆变器
- 通用驱动器