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IQE008N03LM5SCATMA1引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IQE008N03LM5SCATMA1

N沟道 30V 252A

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商品型号
IQE008N03LM5SCATMA1
商品编号
C24177760
商品封装
PG-WHSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)252A
导通电阻(RDS(on))0.65mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)30nC
属性参数值
输入电容(Ciss)4.4nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.1nF
栅极电压(Vgs)±16V

商品特性

  • 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
  • 经过 100% 雪崩测试
  • 出色的热阻性能
  • N 沟道、逻辑电平
  • 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步/整流应用
  • 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
  • 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准,无卤素

应用领域

-DC/DC转换-电源开关-PD充电器-电机驱动器

数据手册PDF