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IMW65R050M2HXKSA1
IMW65R050M2HXKSA1
- 描述
- 基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术，650V MOSFET 提供了无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMW65R050M2HXKSA1
- 商品编号
- C23767892
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 耗散功率(Pd) | 153W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 77pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ |