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IPT60R037CM8XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT60R037CM8XTMA1

IPT60R037CM8XTMA1

商品型号
IPT60R037CM8XTMA1
商品编号
C23768243
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.33克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))37mΩ@10V
耗散功率(Pd)390W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.7V
栅极电荷量(Qg)79nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

CoolMOS™ 第八代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术,其根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS™ CM8 系列是 CoolMOS™ 7 的后续产品。它将快速开关 SJ MOSFET 的优势与出色的易用性相结合,例如低振铃趋势,所有产品均采用快速体二极管(CFD),对硬换相具有出色的鲁棒性和优异的 ESD 能力。此外,CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

商品特性

  • 凭借出色的换向鲁棒性,适用于硬开关和软开关拓扑
  • 显著降低开关和导通损耗
  • 超低的RDS(on)^*A使每个封装产品的RDS(on)处于同类最佳水平

应用领域

  • 电源和转换器
  • 功率因数校正(PFC)级和 LLC 谐振转换器
  • 高效开关应用 例如:服务器、电信、电动汽车充电、不间断电源(UPS)

数据手册PDF