- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 127pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特殊设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 1.5-V驱动
- 低导通电阻:RDS(ON) = 94.0 m Ω(最大值)(@VGS = -1.5 V)
- R D S (ON) = 65.4 m Ω(最大值)(@V GS = - 1.8 V)
- R D S (ON) = 49.0 m Ω(最大值)(@V GS = - 2.5 V)
- R D S (ON) = 40.7 m Ω(最大值)(@V GS = - 4.5 V)
应用领域
- 电源管理开关应用