SSM6J212FE,LF(CA

这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特殊设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

• 1.5-V驱动
• 低导通电阻:RDS(ON) = 94.0 m Ω(最大值)(@VGS = -1.5 V)
• R D S (ON) = 65.4 m Ω(最大值)(@V GS = - 1.8 V)
• R D S (ON) = 49.0 m Ω(最大值)(@V GS = - 2.5 V)
• R D S (ON) = 40.7 m Ω(最大值)(@V GS = - 4.5 V)

• 电源管理开关应用