SSM6N58NU,LF
2个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 特性:1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻:ΔRDS(ON) = 84mΩ (最大值)(@VGS = 4.5V);RDS(ON) = 117mΩ (最大值)(@VGS = 2.5V);RDS(ON) = 180mΩ (最大值)(@VGS = 1.8V)。应用:电源管理开关。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N58NU,LF
- 商品编号
- C262142
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 129pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品特性
- 1.8 V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 84 mΩ(最大值)(@ VGS = 4.5 V);RDS(ON) = 117 mΩ(最大值)(@ VGS = 2.5 V);RDS(ON) = 180 mΩ(最大值)(@ VGS = 1.8 V)
应用领域
- 电源管理开关
- 直流-直流转换器
