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SSM6N7002CFU,LF
2个N沟道 耐压:60V 电流:170mA
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- 描述
- 特性：栅源二极管用于保护。 低漏源导通电阻：2.8Ω（典型值）@VGS = 10V，ID = 100mA；3.1Ω（典型值）@VGS = 5V，ID = 100mA；3.2Ω（典型值）@VGS = 4.5V，ID = 100mA。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N7002CFU,LF
- 商品编号
- C262138
- 商品封装
- US6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 6.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 285mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 270pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700fF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
商品特性
- 用于保护的栅源二极管
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 2.8 Ω(典型值)(@ VGS = 10 V,ID = 100 mA)
- RDS(ON) = 3.1 Ω(典型值)(@ VGS = 5 V,ID = 100 mA)
- RDS(ON) = 3.2 Ω(典型值)(@ VGS = 4.5 V,ID = 100 mA)
应用领域
- 高速开关
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