N沟道 耐压:50V 电流:200mA
- 10+: ¥0.204195 / 个
- 100+: ¥0.179595 / 个
- 300+: ¥0.167295 / 个
- 3000+: ¥0.15807 / 个 (折合1圆盘474.21元)
- 6000+: ¥0.150691 / 个 (折合1圆盘452.07元)
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¥0.15807 / 个 (折合1圆盘474.21元) |
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¥0.150691 / 个 (折合1圆盘452.07元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
功率(Pd) | 200mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@10V,220mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):200mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:200mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SOT-323