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NTMFS0D6N04XMT1G
40 V、0.57 mΩ、380 A N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm），紧凑设计。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电机驱动。 电池保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D6N04XMT1G
- 商品编号
- C23291596
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.453846克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.574nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.887nF |
商品特性
- 低 RDS(on) 以最小化传导损耗
- 低电容以最小化驱动损耗
- 采用紧凑设计,占用空间小(5x6 mm)
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
- 电机驱动
- 电池保护
- 或门二极管应用