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NVBG030N120M3S
碳化硅（SiC）N沟道MOSFET，超低栅极电荷，高速开关低电容
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBG030N120M3S
- 商品编号
- C23291635
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 耗散功率(Pd) | 348W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.43nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 106pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ |
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on) = 29 mΩ，栅源电压VGS = 18 V
- 超低栅极电荷（Qg(tot) = 107 nC）
- 低电容高速开关（Coss = 106 pF）
- 100%雪崩测试
- 通过AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免条款7a，二级互连无铅（2LI）
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流/直流转换器