SLVU2.8-4.TBT
TVS 2.8V截止 峰值浪涌电流:24A@8/20us
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- 描述
- TVS阵列,VRWM:2.8V;VBR:3V;Vclamp:15V;Ipp:24A;IR:1uA;Ppp:400W;Cj:5pF;4channels
- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- SLVU2.8-4.TBT
- 商品编号
- C23993
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 2.8V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 24A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 400W@8/20us | |
| 击穿电压 | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 四路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2;IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 5pF |
商品概述
SLV系列瞬态电压抑制器旨在保护低压、先进的CMOS半导体,使其免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。 这些器件采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比,EPD工艺提供了低关断电压,同时显著降低了漏电流和电容。SLVU2.8 - 4具有集成的低电容补偿二极管,可将每条线路的典型电容降至5pF。结合低漏电流,这意味着在如10/100以太网等高速应用中能够保持信号完整性。 SLVU2.8 - 4采用SO - 8封装,可用于保护两对高速线路。“直通式”设计可将走线电感降至最低,并减少与ESD事件相关的电压过冲。SLVU2.8 - 4的低钳位电压可将受保护IC的应力降至最低。 SLV系列TVS二极管符合IEC 61000 - 4 - 2 4级的浪涌要求。
商品特性
- 400瓦峰值脉冲功率(tp = 8 / 20μs)
- 高速数据线的瞬态保护,符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)±15kV(空气)、±8kV(接触),IEC 61000 - 4 - 4(EFT)40A(5/50ns),IEC 61000 - 4 - 5(雷击)24A(8/20μs)
- 保护两对线路(四条线路)
- 全面的引脚排列,便于电路板布局
- 低电容
- 低漏电流
- 低工作电压和钳位电压
- 固态EPD TVS工艺技术
应用领域
- 10/100以太网
- 广域网/局域网设备
- 交换系统
- 台式机、服务器和笔记本电脑
- 仪器仪表
- 基站
- 模拟输入
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