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L6388ED013TR
高压高端和低端驱动器
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- 描述
- 带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- L6388ED013TR
- 商品编号
- C23921
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 650mA | |
| 拉电流(IOH) | 400mA | |
| 工作电压 | 3.3V~18V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 传播延迟 tpLH | 225ns | |
| 传播延迟 tpHL | 160ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -45℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 350uA |
商品概述
L6388E是一款高压器件，采用BCD“离线”技术制造。 它具有驱动结构，能够驱动独立参考的N沟道功率MOSFET或IGBT。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。 逻辑输入与CMOS/TTL兼容，便于与控制设备接口。
商品特性
- 最高600 V的高压轨
- 在全温度范围内dV/dt抗扰度为±50 V/nsec
- 驱动电流能力：源电流400 mA，灌电流650 mA
- 带1 nF负载时，上升/下降时间为70/40 nsec
- 具有迟滞和下拉功能的3.3 V、5 V、15 V CMOS/TTL输入比较器
- 内部自举二极管
- 输出与输入同相
- 死区时间和互锁功能