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9N20实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

9N20

1个N沟道 耐压:200V 电流:9A

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描述
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A适用于电源开关和信号控制
商品型号
9N20
商品编号
C22470938
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.812克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))270mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)11nC@10V
输入电容(Ciss)580pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
输出电容(Coss)75pF

商品概述

9N20采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200 V,漏极电流(ID) = 9 A
  • 栅源电压(VGS) = 10 V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 270 mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF