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20N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:20A

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描述
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A适用于电源开关和信号控制
商品型号
20N10
商品编号
C22470951
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.44112克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V
栅极电荷量(Qg)69nC@10V
输入电容(Ciss)2.384nF
反向传输电容(Crss)74pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)85pF

商品特性

  • 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
  • 100% 进行非钳位感性开关(UIS)测试
  • 100% 进行漏源极电压变化率(ΔVds)测试
  • 无卤;符合 RoHS 标准

应用领域

  • 负载开关
  • 脉冲宽度调制(PWM)应用
  • 电源管理

数据手册PDF