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10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:650V 电流:10A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 10N65
- 商品编号
- C22470953
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.334克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
30P03DF是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 30P03DF符合RoHS和绿色产品要求，100%经EAS保证，具备全面功能可靠性认证。
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 35nC(典型值)。
- BVDSS = 650 V,ID = 10A
- RDS(on):0.95Ω(最大值)@VG = 10V
- 经过100%雪崩测试
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